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半导体光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）配方工艺

光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种不导电的光敏材料，它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。

显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉，暴露出底材再进行相应的蚀刻。

目前市场上大部分去胶液存在去胶速度慢、有胶残留、长时间工作后腐蚀金属或伤钝化层的问题。

在集成电路制造工艺中，制造半导体器件一般会多次经历光刻工艺，该过程会用到一种不导电的光敏材料——光刻胶，也称为光致抗蚀剂。

一般是将光刻胶涂抹在基材上，经过烘烤，曝光，显影后在半导体衬底的传导层上形成光刻图形，接着进行刻蚀工艺，刻蚀掉传导层上光刻胶图形没有掩盖的部分，将图形转移到晶圆表面上，在传导层图形形成后，光刻胶图形必须用光刻胶剥离剂从传导层去除。

半导体光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）是涉及半导体加工技术领域，一款用于去胶效果好且对底材的攻击较小的正性光刻胶去胶液。

去胶速度快、去胶能力强，去胶液体系稳定性提高，使用寿命长，表面张力低，对微小缝隙处的光刻胶去除效果好，体系中采用大量极性非质子有机溶剂，水溶性比较好，去胶过后容易清洗；

体系中还原剂和阻蚀剂能有效抑制光刻胶去胶液对底材的腐蚀作用，在有效清除胶的同时抑制对半导体基板对金属、硅、氧化硅、钝化层等各种底材的腐蚀，延长了工作时间。

光刻胶去胶液配方成分：有机溶剂、有机醇胺、有机醇、金属保护剂和阻蚀剂等。

工作温度：40-50℃；处理时间：10-30分钟；处理方式：浸泡或喷淋

本光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。

技术服务：半导体光刻胶去胶液（光刻胶剥离液）技术资料费：280元，包括生产配方、工艺流程、性能测试等。

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